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直接影響CRF等離子體刻蝕機處理的硅油光發光性能

  • 分類:業界動態
  • 作者:等離子清洗機-CRF plasma等離子設備-等離子表面處理機廠家-誠峰智造
  • 來源:低溫等離子設備生產廠家
  • 發布時間:2022-05-07
  • 訪問量:

【概要描述】直接影響CRF等離子體刻蝕機處理的硅油光發光性能: ? ? ? ?顯示和發光技術的發展引發了白光發射材質在光源應用中的密切關注。近些年,我們發現非晶Si:C:0:H材質的光致發光PL可以覆蓋350~800納米的光譜區域,因而已變成希望很大的白光發射候選材質。 ? ? ? ?為了獲得可能使用的白光發射材質,我們探索了各種非晶Si:C:0:H材質的光致發光性能,如反應直流磁控濺射制備的非晶Si:C:O:H膜。熱蒸發沉積融化涂層技術制備的非晶SiC、0、薄膜。反應直流磁控濺射和等離子體激發化學氣相沉積制備的氫化非晶碳化硅6-SiC:H)積制備,以及Crf誠峰等離子體蝕刻機等離子體激發的化學氣相沉積制備的摻硅金剛石碳膜。 ? ? ? ?在制備這些薄膜時,通常需要使用較高的沉積溫度或較高的后處理溫度,如熱蒸發沉積A-SiC、O、膜的沉積溫度高達800℃,熔化涂層技術制備A-SiC、O、膜的燒結溫度高達1300℃。當發光材料應用于光電集成技術時,如此高的溫度可能會損壞其他材質和設備。因而,在低溫下制備非晶體發射材質的方法變得非常重要。硅油是一種由Si.C.0.H組成的聚合物材質。由于其穩定的化學性能,硅油通常被用作發光材料的包裝材料。 ? ? ? ? 近些年,對非晶Si:C:O:H光發射材質的研究表明,材質的光發光性能與薄膜中的鍵結構有關。缺陷。納米顆粒與簇有關。硅油的鍵結構可直接用Arcrf誠峰等離子體蝕刻機處理。因而,等離子體清洗機設備可用于處理硅油,以改變硅油結構或制備非晶Si:C:O:H膜,獲得具有光發光特性的改性硅油或非晶Si:C:O:H膜。 ? ? ? ? 在CRF誠峰等離子體蝕刻機中,放電產生處理硅油所需的活性基團,可控制轟擊硅油的離子能量,將等離子體反應與離子轟擊效應相結合,從而改變硅油的結構,獲得具有光發光特性的改性硅油或非晶Si:C:O:H膜。

直接影響CRF等離子體刻蝕機處理的硅油光發光性能

【概要描述】直接影響CRF等離子體刻蝕機處理的硅油光發光性能:
? ? ? ?顯示和發光技術的發展引發了白光發射材質在光源應用中的密切關注。近些年,我們發現非晶Si:C:0:H材質的光致發光PL可以覆蓋350~800納米的光譜區域,因而已變成希望很大的白光發射候選材質。
? ? ? ?為了獲得可能使用的白光發射材質,我們探索了各種非晶Si:C:0:H材質的光致發光性能,如反應直流磁控濺射制備的非晶Si:C:O:H膜。熱蒸發沉積融化涂層技術制備的非晶SiC、0、薄膜。反應直流磁控濺射和等離子體激發化學氣相沉積制備的氫化非晶碳化硅6-SiC:H)積制備,以及Crf誠峰等離子體蝕刻機等離子體激發的化學氣相沉積制備的摻硅金剛石碳膜。
? ? ? ?在制備這些薄膜時,通常需要使用較高的沉積溫度或較高的后處理溫度,如熱蒸發沉積A-SiC、O、膜的沉積溫度高達800℃,熔化涂層技術制備A-SiC、O、膜的燒結溫度高達1300℃。當發光材料應用于光電集成技術時,如此高的溫度可能會損壞其他材質和設備。因而,在低溫下制備非晶體發射材質的方法變得非常重要。硅油是一種由Si.C.0.H組成的聚合物材質。由于其穩定的化學性能,硅油通常被用作發光材料的包裝材料。
? ? ? ? 近些年,對非晶Si:C:O:H光發射材質的研究表明,材質的光發光性能與薄膜中的鍵結構有關。缺陷。納米顆粒與簇有關。硅油的鍵結構可直接用Arcrf誠峰等離子體蝕刻機處理。因而,等離子體清洗機設備可用于處理硅油,以改變硅油結構或制備非晶Si:C:O:H膜,獲得具有光發光特性的改性硅油或非晶Si:C:O:H膜。
? ? ? ? 在CRF誠峰等離子體蝕刻機中,放電產生處理硅油所需的活性基團,可控制轟擊硅油的離子能量,將等離子體反應與離子轟擊效應相結合,從而改變硅油的結構,獲得具有光發光特性的改性硅油或非晶Si:C:O:H膜。

  • 分類:業界動態
  • 作者:等離子清洗機-CRF plasma等離子設備-等離子表面處理機廠家-誠峰智造
  • 來源:低溫等離子設備生產廠家
  • 發布時間:2022-05-07 22:39
  • 訪問量:
詳情

直接影響CRF等離子體刻蝕機處理的硅油光發光性能:
       顯示和發光技術的發展引發了白光發射材質在光源應用中的密切關注。近些年,我們發現非晶Si:C:0:H材質的光致發光PL可以覆蓋350~800納米的光譜區域,因而已變成希望很大的白光發射候選材質。

等離子體刻蝕機       為了獲得可能使用的白光發射材質,我們探索了各種非晶Si:C:0:H材質的光致發光性能,如反應直流磁控濺射制備的非晶Si:C:O:H膜。熱蒸發沉積融化涂層技術制備的非晶SiC、0、薄膜。反應直流磁控濺射和等離子體激發化學氣相沉積制備的氫化非晶碳化硅6-SiC:H)積制備,以及Crf誠峰等離子體蝕刻機等離子體激發的化學氣相沉積制備的摻硅金剛石碳膜。
       在制備這些薄膜時,通常需要使用較高的沉積溫度或較高的后處理溫度,如熱蒸發沉積A-SiC、O、膜的沉積溫度高達800℃,熔化涂層技術制備A-SiC、O、膜的燒結溫度高達1300℃。當發光材料應用于光電集成技術時,如此高的溫度可能會損壞其他材質和設備。因而,在低溫下制備非晶體發射材質的方法變得非常重要。硅油是一種由Si.C.0.H組成的聚合物材質。由于其穩定的化學性能,硅油通常被用作發光材料的包裝材料。
        近些年,對非晶Si:C:O:H光發射材質的研究表明,材質的光發光性能與薄膜中的鍵結構有關。缺陷。納米顆粒與簇有關。硅油的鍵結構可直接用Arcrf誠峰等離子體蝕刻機處理。因而,等離子體清洗機設備可用于處理硅油,以改變硅油結構或制備非晶Si:C:O:H膜,獲得具有光發光特性的改性硅油或非晶Si:C:O:H膜。
        在CRF誠峰等離子體蝕刻機中,放電產生處理硅油所需的活性基團,可控制轟擊硅油的離子能量,將等離子體反應與離子轟擊效應相結合,從而改變硅油的結構,獲得具有光發光特性的改性硅油或非晶Si:C:O:H膜。

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